上海镓特半导体全球发售4英寸自支撑氮化镓衬底

 行业动态     |      2016-01-10

镓特半导体科技(上海)有限公司(简称“镓特”)全球发售4英寸自支撑氮化镓衬底。镓特使用自主研发的HVPE设备生长自支撑GaN(氮化镓)衬底,攻克了GaN高质量生长工艺、高良率剥离工艺、低成本研磨抛光工艺等关键技术,完成了中试开发,具备了量产4英寸自支撑GaN衬底的能力。

该公司从设备到晶体生长工艺全流程均具有自主知识产权,其中HVPE设备已经更新至第6代机型,目前已经申请专利45项,并获得高新技术企业认证。

据悉,镓特自支撑GaN衬底XRD摇摆曲线(002)和(102)半峰宽(FWHMs)均在50-60 aresec之间,位错密度低至1E6 /cm2,中心点offcut偏向m面0.35°,并可根据客户需求进行调整,晶格曲率半径大于10米。研磨抛光后的GaN衬底表面粗糙度在0.3nm以下,其他表面指标达到epi ready的标准。GaN衬底综合技术指标已经达到世界先进水平。

基于镓特的研发成果,成立了镓特半导体科技(铜陵)有限公司,规划年产36000片4英寸自支撑GaN衬底,产业规模居世界第一。在价格上,镓特4英寸自支撑GaN衬底价格与同尺寸SiC衬底相当,以推动GaN-on-GaN技术的大规模应用。

此外,镓特4英寸”epi-ready”自支撑氮化镓衬底主要应用于超高亮度发光二极管(LED)芯片,激光二极管(LD)芯片, 发射基站级高能量密度高频(RF)芯片,千伏特级电力(power)芯片,等等。